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我國半導體激光器芯片技術獲突破

來源:發(fā)布時間:2018-09-10 10:54:30點擊率:

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     近日,由中科院長春光機所發(fā)光學及應用國家重點實驗室大功率半導體激光器課題組佟存柱研究員承擔的中科院知識創(chuàng)新工程領域前沿項目“大功率高亮度光子晶體激光器及列陣”取得了階段性進展,他們通過布拉格反射波導結構成功的將半導體激光快軸(垂直)發(fā)散角從40°降低到7.5°,慢軸(水平)發(fā)散角7.2°,實現(xiàn)近圓形光束出光。


  一直以來,半導體激光器的大缺點之一是它較大的發(fā)散角,以及橢圓形出光光斑,這導致較差的光束質量。而光束質量反映的是激光的可匯聚性,直接影響到實際應用。目前商業(yè)化的半導體激光器均采用全反射波導結構(如圖1(a)),該結構的激光諧振腔狹小,不對稱,導致快軸發(fā)散角高達30°-60°,慢軸發(fā)散角10°。


  研究小組采用雙邊橫向布拉格反射波導結構(如圖1(b)),該結構通過光子禁帶原理進行光學導波,所限制模式為光學缺陷模式,可以有效壓縮激光的遠場發(fā)散角。在成功解決了光子晶體缺陷模式與全反射模式競爭、高質量厚尺度(>10微米)外延生長技術問題后,實現(xiàn)了該器件室溫連續(xù)激射。器件工作于808nm,輸出功率>2W,斜率效率0.531W/A,快、慢軸發(fā)散角被降低到7.5°和7.2°,出光光斑近圓形。

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